华为拟与中芯国际合作　开发3纳米级制程芯片

（北京综合讯）美国科技网站披露，华为公司与中国芯片制造商中芯国际，计划合作开发3纳米级制程芯片。

美国科技网站Tom’s Hardware星期二（5月28日）报道，今年早些时候，华为与中芯国际送交名为自对准多重图案化（SAQP）芯片专利。借助这项技术，华为和中芯国际可以使用现有的深紫外光刻机（DUV）生产3纳米级制程芯片。

报道称，与华为合作的中国芯片制造设备开发商深圳新凯来公司（SiCarrier）也获得了SAQP专利，这证实了中芯国际计划将该技术用于未来的芯片制造。

SAQP指的是在硅片上反复雕刻线条，以提高晶体管的密度，降低功耗，从而提高性能。

韩国《中央日报》今年3月报道称，中芯国际已组建了3纳米级制程芯片的研发团队，推测应该是使用美国对中国半导体实施出口管制之前所囤积的旧设备来生产高端芯片。

Tom’s Hardware称，英特尔在2019年至2021年的10纳米级制程芯片上，也尝试过类似SAQP的方法，但由于良率等问题宣告失败。不过，SAQP对华为和中芯国际仍至关重要，因为这些中国企业无法获得最先进的光刻机。