坂本幸雄：中国大陆半导体产业落后台湾一大截

宣告破产的紫光集团前高级副总裁、前日本尔必达社长坂本幸雄接受访问时说，中国大陆半导体产业的实力不管在研发、生产和产品良率方面落后台湾、韩国和美国一大截。

据日经新闻报道，坂本指出，中国大陆占世界半导体生产的比重为15%，但其中英特尔等外资企业占60%，中企的比重仅40%，大陆半导体产业当前的要务是研发，但肩负半导体产业发展者主要是出自台湾，多为成品良率改善等工序管理方面的人才，在从零开始创造价值的研发方面缺乏经验。

坂本说，大陆半导体实力与世界顶尖水平的差距很大，在DRAM领域处于中国顶尖水平的长鑫存储，与三星电子相比落后4代左右；而在NAND快闪记忆体领域，大陆据称顶尖的长江存储在去年8月启动128层3D NAND的量产，虽已启动192层的试产，但生产的数量过少，达不到讨论竞争力的水平。

坂本介绍，在运算用逻辑晶片领域，即使是顶尖的中芯国际，最好的产品也只是14奈米，这已是七、八年前的技术，而台积电正在开发2纳米的产品，中芯国际以工序管理的工程师为中心，或许难以推进新技术的开发，加上美国的制裁，更难以引进尖端的半导体生产设备，无法跨入价值巨大的处理器领域，经营资源完全被用在增加14奈米以上的产能，如果缺乏在三、四年后追上台积电的雄心，差距会不断扩大。

另据BusinessKorea报导，韩国进出口银行旗下海外经济研究院（OERI）预估，中国大陆在DRAM和NAND快闪记忆体方面与韩国的技术落差分别达五年和两年。

大陆半导体业的产品良率也很低。 OERI分析指出，长鑫存储2019年开始量产第一代10奈米DRAM，但两年多过去，良率仍只有75%；第二代DRAM的良率更只有40%。